等離子體光譜診斷
薄膜材料因其在多個(gè)方面的優(yōu)異性能，使得應(yīng)用十分廣泛，薄膜的制備有多種方法，磁控濺射法是當(dāng)今制備薄膜比較常用的一種方法。而用磁控濺射法制備出高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的工藝參數(shù)選擇與穩(wěn)定性控制。為此在薄膜生長(zhǎng)中的工藝參數(shù)對(duì)薄膜的各種性能影響方面做了大量探討與研究，如采用真空濺射鍍膜技術(shù)在鎳鋅鐵氧基片上制備了Cr/Ni-Cu/Ag結(jié)構(gòu)的金屬化復(fù)合薄膜，分析了濺射功率，靶基間距和濺射氣壓等工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響，并得出合適的實(shí)驗(yàn)條件。
等離子體發(fā)射光譜研究是了解放電條件下氣體狀態(tài)的有效手段和用于無(wú)干擾診斷等離子體狀態(tài)參數(shù)的方法。它為研究不同實(shí)驗(yàn)參數(shù)下的等離子體行為提供了一種很好的方法。通過(guò)采集射頻磁控濺射過(guò)程中等離子體發(fā)射光譜，可以計(jì)算出電子密度和電子溫度，并且能夠分析濺射功率、工作壓強(qiáng)等實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)等離子體狀態(tài)的影響。荷蘭Avantes公司的AvaSpec-ULS2048高分辨率、多通道光纖光譜儀，波長(zhǎng)范圍200-1100nm，光譜分辨率（FWHM）0.1nm。下圖是氮分子（N2）的發(fā)射光譜數(shù)據(jù)。
隨著現(xiàn)代焊接技術(shù)的發(fā)展，焊接機(jī)器人等高效化生產(chǎn)手段得到廣泛地應(yīng)用，因此對(duì)焊接質(zhì)量檢測(cè)與控制越來(lái)越重要。焊接電弧光譜由于其自身信息量大、信噪比高、介入性小、測(cè)控精度高等特點(diǎn)，在一些場(chǎng)合得到成功應(yīng)用，如利用電弧弧光信息測(cè)控TIG焊電弧的弧長(zhǎng)，精度可達(dá)到0.2mm，與傳統(tǒng)的弧壓測(cè)控方法相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。電弧光譜的應(yīng)用領(lǐng)域還包括：電弧防護(hù)、光譜法測(cè)定電弧的溫度場(chǎng)、氣體成分及濃度的測(cè)定與控制等。上述領(lǐng)域研究與電弧光譜自身輻射特性具有密切聯(lián)系，而焊接參數(shù)是焊接過(guò)程中影響電弧光譜的主要因素之一，因此對(duì)于不同焊接參數(shù)下電弧光譜輻射及其變化特點(diǎn)的研究非常重要。
焊接光譜信息的采集和分析系統(tǒng)使用荷蘭Avantes公司的AvaSpec-ULS3648高分辨率、多通道（可支持10個(gè)通道）光纖光譜儀，波長(zhǎng)范圍200-1100nm，光譜分辨率（FWHM）可達(dá)0.05nm，光譜采樣間隔0.02nm。1分多光纖束保證了光譜信號(hào)采集在時(shí)間和空間上的同步性。